Rapid thermal annealing effects on the structural properties and density of defects in SiO2 and SiNx: H films deposited by electron cyclotron resonance

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 87

Nummer: 3

Seiten: 1187-1192

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.371996 GOOGLE SCHOLAR

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