Microwave noise measurements on Al0.3Ga0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4

  1. Miranda, J.M.
  2. Vogt, A.
  3. Schussler, M.
  4. Shaalan, M.
  5. Matulionis, A.
  6. Sebastian, J.L.
  7. Hartnagel, H.L.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 1998

Volum: 13

Número: 7

Pàgines: 833-836

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/13/7/002 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus