Microwave noise measurements on Al0.3Ga0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4

  1. Miranda, J.M.
  2. Vogt, A.
  3. Schussler, M.
  4. Shaalan, M.
  5. Matulionis, A.
  6. Sebastian, J.L.
  7. Hartnagel, H.L.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 13

Nummer: 7

Seiten: 833-836

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/13/7/002 GOOGLE SCHOLAR