Microwave noise measurements on Al0.3Ga0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4

  1. Miranda, J.M.
  2. Vogt, A.
  3. Schussler, M.
  4. Shaalan, M.
  5. Matulionis, A.
  6. Sebastian, J.L.
  7. Hartnagel, H.L.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Ano de publicación: 1998

Volume: 13

Número: 7

Páxinas: 833-836

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0268-1242/13/7/002 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus