Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  1. Palacios, T.
  2. Calle, F.
  3. Varela, M.
  4. Ballesteros, C.
  5. Monroy, E.
  6. Naranjo, F.B.
  7. Sánchez-García, M.A.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 2000

Volum: 15

Número: 10

Pàgines: 996-100

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/15/10/312 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus