Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  1. Palacios, T.
  2. Calle, F.
  3. Varela, M.
  4. Ballesteros, C.
  5. Monroy, E.
  6. Naranjo, F.B.
  7. Sánchez-García, M.A.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 15

Zenbakia: 10

Orrialdeak: 996-100

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/15/10/312 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus