Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  1. Palacios, T.
  2. Calle, F.
  3. Varela, M.
  4. Ballesteros, C.
  5. Monroy, E.
  6. Naranjo, F.B.
  7. Sánchez-García, M.A.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Ano de publicación: 2000

Volume: 15

Número: 10

Páxinas: 996-100

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0268-1242/15/10/312 GOOGLE SCHOLAR