Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate

  1. ZUBIAGA MONSALVE, ASIER
Dirigida por:
  1. José Ángel García Martínez Director/a
  2. Fernando Plazaola Muguruza Codirector/a

Universidad de defensa: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea

Fecha de defensa: 10 de noviembre de 2006

Tribunal:
  1. Miguel Ángel Pérez Jubindo Presidente/a
  2. Vicente Muñoz Sanjosé Secretario/a
  3. Filip Tijo Misto Vocal
  4. María Carmen Martínez-Tomás Vocal
  5. Francisco Javier Piqueras de Noriega Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 137175 DIALNET

Resumen

Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones. El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.