Raman scattering study of undoped and As-doped GaN grown with different III/V ratios

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2007

Volumen: 22

Número: 10

Páginas: 1145-1150

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/22/10/011 GOOGLE SCHOLAR
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