Rectification Ratio and Tunneling Decay Coefficient Depend on the Contact Geometry Revealed by in Situ Imaging of the Formation of EGaIn Junctions

  1. Chen, X.
  2. Hu, H.
  3. Trasobares, J.
  4. Nijhuis, C.A.
Revista:
ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN: 1944-8252,  1944-8244

Any de publicació: 2019

Volum: 11

Número: 23

Pàgines: 21018-21029

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACSAMI.9B02033 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus