Passivation of surface and bulk defects in p-GaSb by hydrogenated amorphous silicon treatment

  1. Dutta, P.S.
  2. Sreedhar, A.K.
  3. Bhat, H.L.
  4. Dubey, G.C.
  5. Kumar, V.
  6. Dieguez, E.
  7. Pal, U.
  8. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1996

Volum: 79

Número: 6

Pàgines: 3246-3252

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.361220 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus