Passivation of surface and bulk defects in p-GaSb by hydrogenated amorphous silicon treatment

  1. Dutta, P.S.
  2. Sreedhar, A.K.
  3. Bhat, H.L.
  4. Dubey, G.C.
  5. Kumar, V.
  6. Dieguez, E.
  7. Pal, U.
  8. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 1996

Volume: 79

Número: 6

Páxinas: 3246-3252

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.361220 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus