Passivation of surface and bulk defects in p-GaSb by hydrogenated amorphous silicon treatment

  1. Dutta, P.S.
  2. Sreedhar, A.K.
  3. Bhat, H.L.
  4. Dubey, G.C.
  5. Kumar, V.
  6. Dieguez, E.
  7. Pal, U.
  8. Piqueras, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 79

Nummer: 6

Seiten: 3246-3252

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.361220 GOOGLE SCHOLAR

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