Spatial distribution of defects in GaAs:Te wafers studied by cathodoluminescence

  1. Méndez, B.
  2. Piqueras, J.
  3. Domínguez-Adame, F.
  4. De Diego, N.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1988

Volum: 64

Número: 9

Pàgines: 4466-4468

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.341269 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus