Spatial distribution of defects in GaAs:Te wafers studied by cathodoluminescence

  1. Méndez, B.
  2. Piqueras, J.
  3. Domínguez-Adame, F.
  4. De Diego, N.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 1988

Volume: 64

Número: 9

Páxinas: 4466-4468

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.341269 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus