Spatial distribution of defects in GaAs:Te wafers studied by cathodoluminescence

  1. Méndez, B.
  2. Piqueras, J.
  3. Domínguez-Adame, F.
  4. De Diego, N.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1988

Ausgabe: 64

Nummer: 9

Seiten: 4466-4468

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.341269 GOOGLE SCHOLAR
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