Microwave noise measurements on Al0.3Ga0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4

  1. Miranda, J.M.
  2. Vogt, A.
  3. Schussler, M.
  4. Shaalan, M.
  5. Matulionis, A.
  6. Sebastian, J.L.
  7. Hartnagel, H.L.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1998

Volumen: 13

Número: 7

Páginas: 833-836

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/13/7/002 GOOGLE SCHOLAR
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