Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2000

Volumen: 15

Número: 10

Páginas: 996-100

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/15/10/312 GOOGLE SCHOLAR
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