Passivation of surface and bulk defects in p-GaSb by hydrogenated amorphous silicon treatment

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1996

Volumen: 79

Número: 6

Páginas: 3246-3252

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.361220 GOOGLE SCHOLAR

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