Growth of vacancy clusters during post-irradiation annealing of ion implanted silicon

  1. van Veen, A.
  2. Schut, H.
  3. Rivera, A.
  4. Fedorov, A.V.
Konferenzberichte:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 396

Seiten: 155-160

Art: Konferenz-Beitrag